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由于β-In2Se3是非铁电性的，全部这种小的滞后可能是由器件中的电荷捕获造成的。玩意其工作机制是基于类似于单相场效应管的通断开关。
百货 图3.基于二维In2Se3薄膜的FE-FET的工作机制和性能。作者通过实验和理论机理研究证实了InSe晶体的种子效应，全部它引发了In2Se3从β相到β′相的转变。©2022Nat.Nanotechnol. 图1a，玩意b中，作者利用CVD和相变转移法实现了不同相的In2Se3薄膜（β、β′和α）的大面积厘米级合成。
同时，百货二维β′-In2Se3器件的转移特性环曲线显示出更宽的滞后窗口，更高的电流开/关比率和更高的迁移率（图3d,g）。当加载到具有较高曲率的压缩2状态时，全部In2Se3薄膜经历了从β′到α的突然相变，即使在去掉后仍保持α相。
作者最后对α-和β′-In2Se3NVM器件进行了保留时间和耐久性测量，玩意结果显示α相的保留时间很长，循环稳定性更好（图3i-k）。
此外，百货在应变弛豫方法的指导下，作者构建了新型的β′-α二维侧向异相结，与单相器件相比，具有更宽的磁滞窗口和更大的NVM特性。长风破浪正当时，全部直挂云帆启新程。
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